英特尔10纳米技术持续领先！首款10纳米芯片将年内发布

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据海外媒体报道，英特尔（Intel）日前宣告将推出10纳米芯片，搭载该芯片的处置器估计2017年推出，此消息一出，也等于驳倒外界以为摩尔定律发展已放缓的说法。评论指出，尽管其他厂商也推出10纳米技术，但各家标准并未一致，并且英特尔在10纳米技术仍保持数年的抢先优势。

据IEEE Spectrum报导，2017年英特尔将推出的新处置器采取该公司最新10纳米芯片制程技术。该公司也指出，届时采该制程生产的电晶体本钱将比以往还低，代表摩尔定律精神不只将延续，也驳倒电晶体制作本钱已来到最低的说法。

展望来年，英特尔并筹划在电晶体设计上持续精进，并且首度让自家制程技术最大化以便相符其他公司需求，可利用英特尔设备生产采安谋（ARM）架构的芯片。

英特尔院士Mark Bohr指出，尽管如今芯片制程世代或节点名称呼法与芯片上的功能多有脱勾，但该公司10纳米世代所能达到的密度，将比如今14纳米芯片甚至其他业者的10纳米产品还要高。

该公司日前也公布多项新世代制程数据，包含负责开关的电晶体闸极长度和闸极间距（gate pitch）都更小，最小的闸极间距将由70纳米变为54纳米，实施标准逻辑功能的逻辑单元尺寸也会比如今采取14纳米技术的小46％。

Bohr也指出，这已经是较往年更为勇敢的微缩水平，也一反日前新芯片制程世代出现时间变慢的发展趋向。

英特尔指出，即便生产10纳米晶圆的本钱会比14纳米高，但每颗电晶体生产本钱会较低，并且在切换速度与功耗上都可取得提高。所以，Bohr表示，在尺寸与效率上改良后，将可望让服务器芯片增加更多核心和在GPU增加实施单元。

过去英特尔每2年都推出新的制程世代来升级电晶体，但在14纳米，该公司推出被称为半节点（deminode）世代，也就是在10纳米之前只针对14纳米做出改良，并且在10纳米后，估计在进展至下一个7纳米世代之前，也先推出2个半节点10nm＋与10nm＋＋。

如今三星电子（Samsung Electronics）与台积电也在生产10纳米芯片，2016年10月三星更宣告已率先量产，采取该芯片的装配估计在2017年初上市，GlobalFoundries则偏向在2018年开始一举进入7纳米。

对此，业内人士指出，如今各厂都在积极冲破微缩的极限并且都取得进展，但彼此标准并未一致，若以10纳米产品比较，英特尔在特点尺寸上仍有多年抢先优势。

除此以外，该业内人士也指出，英特尔透过控制与一致化其自家制程而与其他厂商有所区隔，也帮助其在发展代工服务上具有优势。至于为其他公司代工芯片也是英特尔新作法之一，并且具有生产ARM处置器的能力后，对该公司来讲更是重要。

英特尔也表示，首款10纳米芯片将优先在其处置器上采取，2018年再向其他厂商开放。

起源：IT之家

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